No campo da fabricação de semicondutores ou de cristal líquido, a integração do dispositivo aumentou nos últimos anos. Na fabricação de um dispositivo chamado circuito integrado em larga escala, é necessário um padrão fino de 1 mícnico ou menos. Em tal processo de fabricação, poeira fina ou uma quantidade muito pequena de impurezas de gás são depositadas ou adsorvidas no padrão de fiação, resultando em falha do circuito. Portanto, é necessário que tanto o gás de reação quanto o gás transportador com alta pureza, ou seja, apenas algumas partículas e impurezas de gás, possam existir nesses gases. Por essa razão, é necessário que um tubo capilar de aço inoxidável ou um membro use tal gás com alta pureza, e sua superfície interna é usada como poluente para emitir poluentes, com apenas uma quantidade mínima de partículas e gás. Além de gases inertes como nitrogênio e argônio, muitos gases chamados gases especiais também são usados como gases para a fabricação de semicondutores. Exemplos de gases especiais incluem gases corrosivos como cloro, cloreto de hidrogênio e brometo de hidrogênio, e gases quimicamente instáveis, como a silagem. O primeiro requer resistência à corrosão gasosa, enquanto o segundo requer desempenho não catallítico.
Até agora, a fim de reduzir a deposição ou adsorção de poeira ou água, a superfície interna da peça usada para fabricar gás semicondutor foi suavizada até que sua rugosidade da superfície Rmax seja de 1 mícdo ou menos. Desenho a frio, polimento mecânico, polimento químico, polimento ou uma combinação disso pode ser usado como método para suavizar a superfície interna ou partes do tubo. No entanto, um material altamente liso com um valor de 1 míctico ou menos é obtido principalmente pelo polimento eletrolítico. A superfície interna do tubo ou similar é suavizada, depois limpa com água de alta pureza e seca com gás de alta pureza para obter o produto final.
A soldagem é geralmente usada durante a soldagem. Isso porque a soldagem pode garantir alta resistência e bom aperto de ar do gasoduto. Na colocação de gasodutos, o gás inerte de alta pureza, geralmente argônio, é usado como gás protetor, e sua superfície interna é contatada com gás de alta pureza através do gasoduto para evitar o aquecimento de uma parte da poluição e oxidação a altas temperaturas tanto quanto possível. Além disso, na colocação do gasoduto, o gasoduto é limpo com argônio ou nitrogênio de alta pureza para remover essas partículas e ainda permanecer no tubo. Quando o gasoduto é longo e complicado, como um oleoduto, leva vários dias a várias semanas. Recentemente, a redução de custos na construção de uma fábrica de semicondutores e a operação inicial da usina tem sido fortemente exigida. Para atender a esses requisitos, agora é necessário encurtar o tempo de limpeza.
Além das propriedades acima, os membros do tubo e do gás de alta pureza precisam ter capacidades de soldagem, a área articular necessária para vedações mecânicas e resistência ao desgaste; quando peças como juntas são usinadas, a fraqueza de Mach é necessária. Por outro lado, sabe-se que gases especiais com resistência à corrosão e propriedades não catalíticas, que são necessárias para a fabricação de tubos semicondutores ou gases similares, podem ser melhorados aquecendo a superfície do aço inoxidável de tal forma A atmosfera, em tal atmosfera, a pressão parcial do oxigênio é controlada. Vale ressaltar que a substância objetiva do gasoduto é relatada como aço inoxidável SUS 316L nesta literatura.
A resistência à corrosão exigida acima mencionada e o desempenho não catallítico não são apenas para gasodutos. A mesma demanda também é feita de aço inoxidável usado em diversos equipamentos para fabricação de semicondutores, um dos quais possui processamento fino de wafer. O aço inoxidável austenítico, em particular, o tipo SUS 316L é usado principalmente como material para tubos e outros equipamentos. A publicação japonesa kokai patent no. 161145/1988 divulga um aço inoxidável austenítico não padrão de alta limpeza de tubos de aço usados em salas limpas. Inclusões não metálicas limitam a redução do teor de manganês, silício, alumínio e oxigênio, reduzindo assim a geração de partículas da superfície interna do gasoduto.
Além disso, o Japão publicou a Publicação de Patentes nº 198463, 1989/, que divulga um membro de aço inoxidável para equipamentos para fabricação de semicondutores. Estes membros são gás oxidante após polimento eletroquímico de aço inoxidável. Sob certas condições, uma camada de óxido com uma espessura de 100 a 500 angstroms é formada sobre ele e aquecida de tal forma que o número de átomos ni na parte externa é Propor